Samsung trình làng RAM DDR5 512GB, tốc độ băng thông lên đến 7200Mbps
Mới đây, Samsung đã công bố về việc chính thức sản xuất thành công RAM 512GB DDR5 DIMM, đánh dấu bước đột phá lớn trong công cuộc chế tạo SDRAM DDR5 hiện thời. Không chỉ gây ấn tượng với dung lượng cực lớn, sản phẩm này còn sở hữu tốc độ băng thông đánh kinh ngạc với 7200Mbps – đủ để xử lý hai bộ phim 30GB với độ nét cực cao chỉ trong một giây.
Để thực hiện được điều này, Samsung đã sử dụng công nghệ TSV (viết tắt của Through Silicon Via) để có thể xếp chồng 8 lớp chip nhớ lên nhau, qua đó tạo ra mức dung lượng cao chưa từng có trên một thanh RAM DIMM. Bên cạnh đó, vật liêụ High-K Metal Gate (HKMG) vốn chỉ dùng cho sản xuất chip xử lý cũng đã được đưa vào, với vai trò thay thế cho các lớp cách nhiệt thông thường trên chip nhớ. Điều này sẽ giúp hạn chế tình trạng rò rỉ điện, vốn thường xảy ra khi các lớp cách nhiệt bị bào mỏng do mật độ chip nhớ tăng lên.
Với việc tiêu hao năng lượng tiết kiệm hơn 13%, mẫu RAM DDR5 mới này sẽ thích hợp với một số nền tảng đặc thù như các trung tâm dữ liệu, máy chủ đám mây, xe tự hành, v.v… Về phần cứng tương thích, line-up vi xử lý Sapphire Rapids Xeon Scalable của Intel đang là cái tên đầu tiên được Samsung xác nhận.
Mặc dù cho thấy được nhiều tiềm năng, nhưng hiện DDR5 vẫn chưa thực sự được hỗ trợ rộng rãi dù đã ra mắt từ Tháng 07/2020. Điều này đa phần đến từ nhu cầu hiện tại của người dùng, vốn đang được đáp ứng quá tốt với DDR4. Nền tảng phần cứng đầu tiên hỗ trợ DDR5 khả năng cao sẽ là thế hệ CPU Alder Lake của Intel, dự kiến sẽ được ra mắt vào đầu năm 2022.
